Datasheet> 器件分类 > 半导体> 存储器> MT45W2MW16PGA-70 IT TR

文档预览

MT45W2MW16PGA-70 IT TR: 产品描述PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 32Mb（2M x 16）并联 70 ns 48-VFBGA（6x8）; 产品类别半导体存储器; 文件大小732KB，共26页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

下载文档详细参数全文预览

MT45W2MW16PGA-70 IT TR概述

PSRAM（伪 SRAM）存储器 IC 32Mb（2M x 16）并联 70 ns 48-VFBGA（6x8）

MT45W2MW16PGA-70 IT TR规格参数

参数名称	属性值
类别
厂商名称	Micron Technology
包装	卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®
存储器类型	易失
存储器格式	PSRAM
技术	PSRAM（伪 SRAM）
存储容量	32Mb（2M x 16）
存储器接口	并联
写周期时间 - 字，页	70ns
电压 - 供电	1.7V ~ 1.95V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TC）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	48-VFBGA
供应商器件封装	48-VFBGA（6x8）
访问时间	70 ns
基本产品编号	MT45W2MW16

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Features

Async/Page CellularRAM™ 1.0 Memory

MT45W2MW16PGA

Features

• Asynchronous and page mode interface

• Random access time: 70ns

• V

, V

Q voltages:

–

1.7–1.95V V

–

1.7–3.6V V

• Page mode read access:

–

16-word page size

–

Interpage read access: 70ns

–

Intrapage read access: 20ns

• Low power consumption:

–

Asynchronous READ: <20mA

–

Intrapage READ: <15mA

–

Standby: <110µA

–

Deep power-down: <10µA (TYP at 25°C)

• Low-power features:

–

Temperature-compensated refresh (TCR)

–

On-chip temperature sensor

–

Partial-array refresh (PAR)

–

Deep power-down (DPD) mode

Figure 1:

48-Ball VFBGA Ball Assignment

LB#

OE#

ZZ#

DQ8

UB#

CE#

DQ0

DQ9

DQ10

DQ1

DQ2

VssQ

DQ11

A17

DQ3

Vcc

VccQ

DQ12

A16

DQ4

Vss

DQ14

DQ13

A14

A15

DQ5

DQ6

DQ15

A19

A12

A13

WE#

DQ7

A18

A10

A11

A20

Options

Designator

• Configuration

• 2 Meg x 16

MT45W2MW16P

• Package

• 48-ball VFBGA (green)

• Access time

• 70ns

–70

• Operating temperature range

• Wireless (–30°C to +85°C)

• Industrial (–40°C to +85°C)

Notes: 1. –30°C exceeds the CellularRAM Workgroup

1.0 specification of –25°C.

Top View

(Ball Down)

Part Number Example:

MT45W2MW16PGA-70WT

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

32mb_asyncpage_cr1_0_p24z_1.fm - Rev. B 5/07 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

Table of Contents

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Options . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Functional Block Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Ball Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Part-Numbering Information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Valid Part Number Combinations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Device Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Power-Up Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Bus Operating Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Asynchronous Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Page Mode READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

LB#/UB# Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Low-Power Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Standby Mode Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Temperature-Compensated Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Partial-Array Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Deep Power-Down Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Configuration Register Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Access Using ZZ# . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access to the Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Maximum and Typical Standby Currents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Timing Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Package Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

32mb_asyncpage_cr1_0_p24zTOC.fm - Rev. B 5/07 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Figures

Figure 1:

Figure 2:

Figure 3:

Figure 4:

Figure 5:

Figure 6:

Figure 7:

Figure 8:

Figure 9:

Figure 10:

Figure 11:

Figure 12:

Figure 13:

Figure 14:

Figure 15:

Figure 16:

Figure 17:

Figure 18:

Figure 19:

Figure 20:

Figure 21:

Figure 22:

Figure 23:

Figure 24:

48-Ball VFBGA Ball Assignment. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Functional Block Diagram 2 Meg x 16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Part Number Chart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Power-Up Initialization Timing. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

WRITE Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Page READ Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Software Access PAR Functionality. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

Load Configuration Register Operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Software Access Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Software Access Read Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Configuration Register Bit Mapping. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Typical Refresh Current vs. Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

AC Input/Output Reference Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Output Load Circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

Power-Up Initialization Period . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Load Configuration Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Deep Power-Down Entry and Exit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Single READ Operation (WE# = V

). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Page Mode READ Operation (WE# = V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

WRITE Cycle (WE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

WRITE Cycle (CE# Control) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

WRITE Cycle (LB#/UB# Control). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

48-Ball VFBGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

32mb_asyncpage_cr1_0_p24zLOF.fm - Rev. B 5/07 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

List of Tables

Table 1:

Table 2:

Table 3:

Table 4:

Table 5:

Table 6:

Table 7:

Table 8:

Table 9:

Table 10:

Table 11:

Table 12:

Table 13:

VFBGA Ball Descriptions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

Bus Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

32Mb Address Patterns for PAR (CR[4] = 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Electrical Characteristics and Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Partial-Array Refresh Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Deep Power-Down Specifications and Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Capacitance Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

READ Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

WRITE Cycle Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Load Configuration Register Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Deep Power-Down Timing Requirements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Initialization Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

32mb_asyncpage_cr1_0_p24zLOT.fm - Rev. B 5/07 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

32Mb: 2 Meg x 16 Async/Page CellularRAM 1.0 Memory

General Description

Micron

CellularRAM™ products are high-speed, CMOS PSRAM memories developed

for low-power, portable applications. The MT45W2MW16P is a 32Mb DRAM core device

organized as 2 Meg x 16 bits. These devices include the industry-standard, asynchronous

memory interface found on other low-power SRAM or pseudo-SRAM offerings.

A user-accessible configuration register (CR) defines how the CellularRAM device

performs on-chip refresh and whether page mode read accesses are permitted. This

updated at any time during normal operation.

For seamless operation on an asynchronous memory bus, CellularRAM products incor-

porate a transparent self-refresh mechanism. The hidden refresh requires no additional

support from the system memory controller and has no significant impact on device

read/write performance.

Special attention has been focused on current consumption during self refresh. Cellu-

larRAM products include three system-accessible mechanisms to minimize refresh

current. Temperature-compensated refresh (TCR) uses an on-chip sensor to adjust the

refresh rate to match the device temperature. The refresh rate decreases at lower

temperatures to minimize current consumption during standby. Setting sleep enable

(ZZ#) to LOW enables one of two low-power modes: partial-array refresh (PAR) or deep

power-down (DPD). PAR limits refresh to only that part of the DRAM array that contains

essential data. DPD halts refresh operation altogether and is used when no vital infor-

mation is stored in the device. The system-configurable refresh mechanisms are

accessed through the CR.

Functional Block Diagram

Figure 2:

Functional Block Diagram 2 Meg x 16

A[20:0]

Address Decode

Logic

2,048K x 16

DRAM

Memory

Array

Configuration

Input/

Output

MUX

and

Buffers

DQ[7:0]

DQ[15:8]

CE#

WE#

OE#

UB#

LB#

ZZ#

Control

Logic

Note:

Functional block diagrams illustrate simplified device operation. See ball description table,

bus operations table, and timing diagrams for detailed information.

PDF: 09005aef82832fa7 / Source: 09005aef82832f97

32mb_asyncpage_cr1_0_p24z_2.fm - Rev. B 5/07 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

推荐资源

触摸板接口电路（IBM ThinkPad T60）

那位哥们有二手不用的DSP开发板及仿真器，可以考虑卖给我？: 那位哥们有二手不用的DSP开发板及仿真器，可以考虑一下出?...; jeffCXL DSP 与 ARM 处理器

线圈的浸渍工艺: 目前线圈浸渍常用的漆种有H30－2环氧树脂漆和H86－2无溶剂漆。在实际应用过程中，这两种漆各有所长，互相不能完全替代，分别适用于不同的情况。如何选择呢？下面将这两种浸渍漆的使用情况作一比 ......; zbz0529 电源技术

新型可穿戴技术研制成功，更亲肤，更结实: 可穿戴设备的功能越来越丰富，从检测心率到测量血压。但如果要让它变的更普及，它们首先需要舒适和耐用。科罗拉多大学研究人员开发了一种可穿戴电子设备，它可以模仿并粘在人类皮肤上。 ......; eric_wang 聊聊、笑笑、闹闹

微型打印机命令实现问题: 小弟现在在弄微型打印机模块，具体情况是这样的，我向串口助手发送 AAAA AAAA 然后打印机也能打印出两行AAAA，说明打印机是能用的，我看了该型号的打印机，是ESC指令集比如发送FF代表换页 ......; sumption 嵌入式系统

只要20行代码，轻松实现物联网应用！: 导读：通过“Arduino代码自动生成工具”自动生成的库文件，短短20行代码，Arduino uno wifi 就可以迅速联网，实现使用手机APP进行广域网的远程控制。一直以来Arduino 致力于让物联网开发变得 ......; 机智智 stm32/stm8

基于单片机的汽车空调控制系统: 发布：基于单片机SPCE061A的汽车空调控制系统...; goodboy 汽车电子

调查称98%平板电脑使用ARM芯片

美国市场研究公司TownHall Research分析师杰米·汤森(Jamie Townsend)从ABI Research那里摘取了平板电脑市场现状的一些最新数据，他的结论是：在平板电脑的世界，苹果iPad和ARM处理器是绝对的主宰。 100%带有Wi-Fi功能汤森在报告中写到：“平板电脑从本质上讲属于连接设备，ABI称WiFi是平板电脑的基本要求之一，我们相信WiFi将继续成为主流...[详细]
基于AS3990芯片的UHF手持读写器设计

1.引言无线射频技术 RFID(radio frequency identification)是20 世纪90 年代兴起的一种非接触的自动识别技术，利用其射频信号空间传播的特性——通过空间耦合(交变磁场或电磁场)实现无接触信息传递，并通过所传递的信息来实现对被识别物体的自动识别。识别过程不需要物理接触，不需要人工管理即可完成标签信息的写入和读取。采用RFID 技术，可以一次性实现对多个目标以...[详细]
基于LabWindows/CVI的光谱分析系统的设计与实现

　　针对WDP500-2A平面光栅单色仪在不同电流下测试大功率激光二极管的发射波长时，匹配激光二极管的自动化程度不高、效率低以及分析界面不友好等缺点。　　采用自制的RS232串口通讯接口卡，并运用美国NI公司的虚拟仪器编程语言LabWindows/CVI开发分析软件，实现了单色仪的自动定位、扫描、数据分析、数据处理等功能。该光谱分析系统运行良好，提高了测试效率。　　1 引言 ...[详细]
利用LabVIEW实时模块缩减F-35战斗机的测试成本与时间

便携式数字数据采集系统（PDDAS）使用了LabVIEW实时模块和PXI，以控制风洞测试和采集记录来自128个不同通道的空气压力数据 "通过LabVIEW实时模块，可以在各种操作情况下获得采集空气压力数据及向风洞提供反馈控制信号所需的确定性响应时间。" – Dave Scheibenhoffer, G Systems 挑战: 用一个可采集、分析和存储来自下一代喷气式战斗机引擎设计的动...[详细]
亚马逊手机正在测试今年或明年年初量产

亚马逊做手机这个消息大家这几周应该早听到了。这不，连美国最知名的华尔街日报都开始为期造势了。华尔街日报也得到确切的消息，亚马逊正在测试其手机。亚马逊手机今年年底或明年年初量产(图片引自theverge) 　　该媒体还得到消息，现在亚马逊正在于亚洲供应商进行磋商，洽谈合作事宜。有可能在今年年末或明年年初进行批量生产。手机的屏幕大概在4吋到5吋之间。这无疑又是一部大屏手机。亚马逊手...[详细]
摩托罗拉移动遭谷歌“雪藏”：未来命运待解

摩托罗拉移动遭谷歌“雪藏” 　　新浪科技罗亮　　上个月月底，谷歌在美国旧金山举行开发者大会，会上谷歌新一代Andriod操作系统，Nexus 7平板电脑、Nexus Q播放器及谷歌眼镜等3款硬件产品大放异彩。而当谷歌宣布Nexus 7平板电脑由谷歌与华硕合作研发而成的时候，估计有人会有疑问：为什么不是摩托罗拉移动？　　虽然摩托罗拉移动的主要业务是手机，但该公司在平板电脑领域也并非...[详细]
智能机出货价跌破300元:不支持3G和视频通话

　没有最低，只有更低，这难道是手机江湖的不二法则吗？而现在，连智能手机也羞羞答答报出了“白菜价”。　　在车公庙和部分3C电商网站，南都记者看到一款名为小蜜蜂的手机，出货定价299元，刷新了目前智能机市场的新低。记者在配置表上看到，这款型号为IOCO i9900的3.2英寸电容触屏机主频为1G，MTK 6515智能平台赫然在列，android2.3操作系统也是如假包换，WIFI、双卡双待也...[详细]
节能环保的光控照明灯

　　在学校、机关、厂矿企业等单位的公共场所以及居民区的公共楼道，长明灯现象十分普遍，这造成了能源的极大浪费。另外，由于频繁开关或者人为因素，墙壁开关的损坏率很高，增大了维修量，浪费了资金。为了缓解这种情况，本文带给大家一款的节能光控类，结构简单、安装方便、可以固定在门上墙上，并且使用寿命长，安全节能，符合国家提出的节能环保理念。　　一、照明灯的主要特性与应用场所　　设计光控制照明...[详细]
简化隔离式开关电源同步整流器设计的一种智能型驱动器

　一、引言　　在电源转换领域，输出直流电压不高的隔离式转换器（正激式、回扫式、双端式）都使用 MOSFET作为整流器件。由於这些器件上的导通损耗较小，能够提高效率，因而应用越来越广泛。　　为了这种电路能够正常运作，必须对同步整流器（SR）加以控制，这是基本的要求。同步整流器是用来取代二极管的，所以必须选择适当的方法，按照二极管的工作规律来驱动同步整流器。驱动信号必须用PWM控制信号来形成...[详细]
汽车仪表板照明需要具有丰富功能的开关稳压器

　　电子系统处于汽车电源总线上不同的位置，因此经常需要在非常严格的电源要求下运作。其中包括负载突降、冷车发动、轻负载时非常低的功耗和低噪声工作。另外，宽工作电压范围，加上高瞬态电压和大范围温度偏移等要求使电子系统的设计更加复杂。雪上加霜的是，性能要求还在不断提高。系统的不同部分要求有多种电源电压。一般的导航系统可能有6个或更多不同的电源，如8V、5V、3.3V、2.5V、1.8V和1.5V。同时，...[详细]
基于Linux的动态电源管理:使嵌入式设备更节能

　　为了在产品众多、竞争激烈的市场上使产品与众不同，手持设备的制造商们往往把电池寿命和电源管理作为手机、PDA、多媒体播放器、游戏机、其它便携式消费类设备等产品的关键卖点来考虑。用户是从电池寿命这方面来看待电源管理的成效，其实它是多种因素共同作用的结果，这些因素包括 CPU 功能、系统软件、中间件，以及使用户可以在更长的充电或更换电池的间隔时间内享用各自设备的策略。　　电源管理范围　　任...[详细]
利用模拟工具优化电路设计

我和同事在旅馆酒吧闲聊了一天。之前，我们已经会见了几位客户。我们都在思考着一个问题：我们会见的这些工程师怎么几乎一点都不了解模拟技术呢。我认为，这些应届毕业生设计工程师所掌握的模拟技术知识，与我们毕业时的前辈所了解的知识不同，仅此而已。我的同事却说：“如果他们不知道这些原理，而大学也不教授这些内容，那结果会怎么样呢？这些新毕业的工程师注定只能去找他们的前辈拷贝一份模拟设计原理图吗？” 我同事所...[详细]
英飞凌推出射频功率LDMOS晶体管

2012年7月11日，德国纽必堡讯——英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。　　 PTVA家族的首批产品包括两套成对的驱动和输出晶体管——具备400W和500W输出功率，适用于L频段和UHF频段雷达系统——和一个适用于965 M...[详细]
Altera推出最新IP内核产品

2012年7月11号，北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天宣布，推出40-Gbps以太网(40GbE)和100-Gbps以太网(100GbE)知识产权(IP)内核产品。这些内核能够高效的构建需要大吞吐量标准以太网连接的系统，包括，芯片至光模块、芯片至芯片以及背板应用等。介质访问控制(MAC)和物理编码子层以及物理介质附加(PCS+PMA)子层IP内核符合IEEE 802.3b...[详细]
医疗云破解医疗资源分配不均难题

　　当医疗资源分配不均，患者劳累奔波在大医院就诊时，当检查结果不互认，患者费财费时间重新做检查时，当等待时间过长，而就诊时间较短时，医患之间的种种矛盾应声而起。“十二五”规划将民生问题提到了前沿，医改首当其冲，其中，用信息化手段解决“看病贵、看病难”的顽疾，将是一个重要任务。　　医疗卫生信息化发展到今天，数据的重要性逐渐得到了大家的共识。而如何让这些数据互联互通、共享、再次利用，并保证患者...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多