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S71KS512SC0BHB003

产品描述FLASH,DRAM 存储器 IC 512Mb 闪存,64Mb RAM 并联 166 MHz 24-FBGA(6x8)
产品类别半导体    存储器   
文件大小1MB,共14页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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S71KS512SC0BHB003在线购买

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S71KS512SC0BHB003概述

FLASH,DRAM 存储器 IC 512Mb 闪存,64Mb RAM 并联 166 MHz 24-FBGA(6x8)

S71KS512SC0BHB003规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
系列Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
包装卷带(TR)
存储器类型非易失
存储器格式FLASH,RAM
技术FLASH,DRAM
存储容量512Mb 闪存,64Mb RAM
存储器接口并联
电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳24-VBGA
供应商器件封装24-FBGA(6x8)
时钟频率166 MHz
基本产品编号S71KS512

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SUPPLEMENT
S71KS512SC0
S71KL256SC0
S71KL512SC0
HyperFlash™ and HyperRAM™
Multi-Chip Package 1.8V/3V
HyperFlash™ and HyperRAM™ Multi-Chip Package 3 V
Distinctive Characteristics
HyperFlash™ and HyperRAM™ in Multi-Chip Package (MCP)
1.8V, 512 Mb HyperFlash and 64 Mbit HyperRAM
(S71KS512SC0)
3.0V, 512 Mb HyperFlash and 64 Mbit HyperRAM
(S71KL512SC0)
3.0V, 256 Mb HyperFlash and 64 Mbit HyperRAM
(S71KL256SC0)
FBGA 24-ball, 6
8
1.0 mm package
HyperBus Interface
1.8V I/O, 12 bus signals
• Differential clock (CK/CK#)
3.0V I/O, 11 bus signals
• Single ended clock (CK)
Chip Select (CS#)
8-bit data bus (DQ[7:0])
Read-Write Data Strobe (RWDS)
• Bidirectional Data Strobe/Mask
• Output at the start of all transactions to indicate refresh
latency
• Output during read transactions as Read Data Strobe
• Input during write transactions as Write Data Mask (Hyper-
RAM only)
Optional Signals
Reset
INT# output to generate external interrupt
• Busy to Ready Transition
RSTO# Output to generate system level Power-On Reset
(POR)
• User configurable RSTO# Low period
High Performance
Double-Data Rate (DDR)
• Two data transfers per clock
Up to 166-MHz clock rate (333 MB/s) at 1.8V V
CC
Up to 100-MHz clock rate (200 MB/s) at 3.0V V
CC
Cypress Semiconductor Corporation
Document Number: 002-03902 Rev. *D
198 Champion Court
San Jose
,
CA 95134-1709
408-943-2600
Revised February 23, 2017
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