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CY7S1049G30-10VXI

产品描述SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 10 ns 36-SOJ
产品类别半导体    存储器   
文件大小10MB,共8页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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CY7S1049G30-10VXI在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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CY7S1049G30-10VXI概述

SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 10 ns 36-SOJ

CY7S1049G30-10VXI规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
包装管件
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM - 异步
存储容量4Mb(512K x 8)
存储器接口并联
写周期时间 - 字,页10ns
电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装36-SOJ
访问时间10 ns
基本产品编号CY7S1049

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SYN C SRA M
TO
IT
CHSCREE N
ECC
A
U ETOU CH
W
U
H ON -CHIP
SOLUTIONS
COMPLETE FREEDOM
FROM SOFT ERRORS
ASYNCHRONOUS SRAMS WITH
ERROR-CORRECTING CODE (ECC)
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