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1N750A-PBF

产品描述Zener Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小486KB,共3页
制造商Digitron
官网地址http://www.digitroncorp.com
标准
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1N750A-PBF概述

Zener Diode

1N750A-PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证Yes
外壳连接ISOLATED
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
二极管类型ZENER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
标称参考电压4.7 V
技术ZENER
最大功率耗散0.5 W
最大反向电流2 µA
表面贴装NO
工作测试电流20 mA
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
元件数量1
极性UNIDIRECTIONAL
最大动态阻抗19 Ω
反向测试电压1 V
电压温度Coeff-Max-0.705 mV/°C
最大电压容差5%
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
CAGE Code3XFH2, 0GXA3
Is SamacsysN
YTEOL5.93
Category CO2 Kg8.7
Objectid8335222112
Schedule B Code8541.10.00.50
UNSPSC32111502
ECCN代码EAR99
Compliance Temperature GradeMilitary: -65C to +175C
EU RoHS VersionRoHS 2 (2011/65/EU)
厂商名称Digitron
Reach Compliance CodeUnknown

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High-reliability discrete products
and engineering services since 1977
FEATURES
1N746-1N759
SILICON PLANAR ZENER DIODES
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.
MAXIMUM RATINGS
Operating and Storage Temperature
Thermal Resistance
Steady State Power
Forward Voltage @ 200mA
Solder Temperatures:
-65 to +175°C
250°C/W junction to lead at 3/8” lead length from body
0.5 Watts at T
L
≤ 50°C
1.1 Volts
260°C for 10 s (max)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Part
Number
(Note 1)
1N4370
1N4371
1N4372
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
Notes:
Normal Zener
Voltage
V
Z
@ l
ZT
(Note 2)
VOLTS
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
Zener
Test
Current
l
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
Maximum Zener
Impedance
Z
ZT
@ l
ZT
(Note 3)
OHMS
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
Maximum Reverse
Leakage Current
V
R
= 1 Volt
Maximum
Zener Current
l
ZM
(Note 4)
mA
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
Typical
Temperature
Coefficient
Of Zener
Voltage
%/°C
-.085
-.080
-.075
-.066
-.058
-.046
-.033
-.015
±.010
+.030
+.049
+.053
+.057
+.060
+.061
+.062
+.062
μA @ 25°C
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
μA @ 125°C
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
1. Suffix letter A denotes ±5% tolerance, suffix C denotes ±2% tolerance, & suffix D denotes ±1% tolerance.
2. Voltage measurements to be performed 20 seconds after application of dc current.
3. Zener impedance derived by superimposing on l
ZT
, a 60cps, rms ac current equal to 10% l
ZT
(2mA ac)
4. Allowance has been made for the increase in V
Z
due to Z
Z
and for the increase in junction temperature as the unit approaches thermal
equilibrium at the power dissipation of 400mW.
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