电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5449B

产品描述Variable Capacitance Diode, 27pF C(T), 30V, Silicon, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共1页
制造商CRYSTALONICS Inc
下载文档 详细参数 全文预览

1N5449B概述

Variable Capacitance Diode, 27pF C(T), 30V, Silicon, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5449B规格参数

参数名称属性值
二极管元件材料SILICON
最大重复峰值反向电压30 V
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
元件数量1
最大功率耗散0.4 W
表面贴装NO
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
标称二极管电容27 pF
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
外壳连接ISOLATED
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
二极管电容容差5%
最小二极管电容比2.6
最小质量因数350
变容二极管分类ABRUPT
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
认证状态Not Qualified
Reach Compliance CodeUnknown
Is SamacsysN
YTEOL0
针数2
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
ECCN代码EAR99
Objectid1722479008

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 841  2843  2793  2881  2555  17  58  57  52  1 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved