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1N4779

产品描述Zener Diode, 8.5V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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1N4779概述

Zener Diode, 8.5V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35,

1N4779规格参数

参数名称属性值
Objectid1474936628
Reach Compliance CodeUnknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
电压温度Coeff-Max0.0425 mV/°C
最大电压容差5%
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
外壳连接ISOLATED
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
元件数量1
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压8.5 V
表面贴装NO
技术ZENER
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
认证状态Not Qualified
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
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