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1N5365A

产品描述Zener Diode, 36V V(Z), 5%, 5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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1N5365A概述

Zener Diode, 36V V(Z), 5%, 5W,

1N5365A规格参数

参数名称属性值
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
元件数量1
最大功率耗散5 W
标称参考电压36 V
表面贴装NO
工作测试电流30 mA
最大动态阻抗11 Ω
最大电压容差5%
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)260
是否Rohs认证Yes
Is SamacsysN
Objectid1221173284
Reach Compliance CodeUnknown
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99

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BL
FEATURES
power rating.
GALAXY ELECTRICAL
ZENER DIODES
1N5348B --- 1N5388B
POWER DISSIPATION: 5.0 W
Silicon planar power zener diodes
For use in stabilizing and clipping curcuits with high
DO - 27
Standard zener voltage tolerance is ±10%. Add
suffix "A" for ±5% tolerance. other zener voltage
and tolerances are available upon request.
MECHANICAL DATA
Case:DO-27, glass case
Terminals: solderable per MIL-STD-202, method 208
Polarity: cathode Band
Marking: type number
Approx. weight: 1.15 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
DC pow er dissipation @ T
L
=75, measure at zero lead length (Fig.1)
derate above 75 (NOTE 1)
Peak forw ard surge current 8.3ms single half sine-w ave superimposed on rated
load (JEDEC Method)(NOTE 1,2)
Junction temperature
VALUE
UNIT
P
D
I
FSM
T
J
T
s
5.0
40.0
see fig.5
-55---+150
-55---+150
W
mW
A
Storage temperature range
NOTES:
(1) Mounted on 8.0mm
2
copper pads to each terminal.
www.galaxycn.com
(2) 8.3ms single half sine-wav e, or equiv alent square wav e, duty cy cle=4 pulses per minute maximum.
Document Number 0284007
BL
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