XNOR Gate, ECL10K, CDIP16
| 参数名称 | 属性值 |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 是否Rohs认证 | No |
| Country Of Origin | USA |
| Is Samacsys | N |
| YTEOL | 5 |
| Objectid | 113180922 |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | Unknown |
| 封装代码 | DIP |
| 传播延迟（tpd） | 5.9 ns |
| 施密特触发器 | NO |
| 表面贴装 | NO |
| 系列 | 10K |
| 功能数量 | 6 |
| 输入次数 | 2 |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 4.7 ns |
| 标称供电电压 (Vsup) | -5.2 V |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 长度 | 19.495 mm |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 逻辑集成电路类型 | XNOR GATE |
| 最大电源电流（ICC） | 54 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | -5.72 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | -4.68 V |
| 技术 | ECL |
| 温度等级 | MILITARY |
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