Trans Voltage Suppressor Diode,
| 参数名称 | 属性值 |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 270 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 是否Rohs认证 | Yes |
| Is Samacsys | N |
| YTEOL | 6.8 |
| Objectid | 8289325445 |
| Reach Compliance Code | Compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Date Of Intro | 2017-10-23 |
| 最大击穿电压 | 44.2 V |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 15000 W |
| 反向测试电压 | 36 V |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | AVALANCHE |
| 最小击穿电压 | 40 V |
| 击穿电压标称值 | 42.1 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最大重复峰值反向电压 | 36 V |
| 最大反向电流 | 2 µA |
| 最大钳位电压 | 59.7 V |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 最大正向电压 (VF) | 7.5 V |
| 元件数量 | 1 |
| 最大功率耗散 | 8 W |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 端子面层 | TIN |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
| 参考标准 | IEC-61000-4-2, 4-5; UL RECOGNIZED |
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