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1N5525B

产品描述Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小240KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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1N5525B概述

Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH

1N5525B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证No
Objectid1423268775
Reach Compliance CodeUnknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
YTEOL0
其他特性LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最大动态阻抗30 Ω
最大电压容差5%
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
外壳连接ISOLATED
端子数量2
表面贴装NO
工作测试电流1 mA
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大功率耗散0.4 W
标称参考电压6.2 V
元件数量1
极性UNIDIRECTIONAL
最大反向电流1 µA
技术ZENER
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
认证状态Not Qualified
JEDEC-95代码DO-204AH
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
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