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1N5624

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共3页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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1N5624概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon

1N5624规格参数

参数名称属性值
Is SamacsysN
YTEOL0
Objectid1403212480
Reach Compliance CodeUnknown
ECCN代码EAR99
其他特性TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED
应用GENERAL PURPOSE
最大非重复峰值正向电流125 A
相数1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
外壳连接ISOLATED
最大重复峰值反向电压200 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
元件数量1
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大输出电流3 A
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
认证状态Not Qualified
最低工作温度-65 °C
最高工作温度175 °C
是否Rohs认证No
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