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1N5475C

产品描述Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 30V, Silicon, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共1页
制造商CRYSTALONICS Inc
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1N5475C概述

Variable Capacitance Diode, 82pF C(T), 30V, Silicon, DO-7, GLASS PACKAGE-2

1N5475C规格参数

参数名称属性值
Is SamacsysN
Objectid1992281702
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
ECCN代码EAR99
针数2
Reach Compliance CodeUnknown
YTEOL0
配置SINGLE
标称二极管电容82 pF
元件数量1
最大功率耗散0.4 W
最小击穿电压30 V
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
二极管元件材料SILICON
外壳连接ISOLATED
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
二极管电容容差2%
最小二极管电容比2.9
最小质量因数225
变容二极管分类ABRUPT
认证状态Not Qualified
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2

 
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