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1N5059

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB,共3页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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1N5059概述

Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon

1N5059规格参数

参数名称属性值
最低工作温度-65 °C
最高工作温度175 °C
是否Rohs认证No
Objectid1403207883
Reach Compliance CodeUnknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
YTEOL0
其他特性TRANSIENT VOLTAGE PROTECTED
最大非重复峰值正向电流50 A
相数1
封装形式LONG FORM
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
外壳连接ISOLATED
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
元件数量1
最大输出电流2 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
JESD-609代码e0
认证状态Not Qualified
JESD-30 代码O-LALF-W2

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