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S8550D-G

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小3MB,共4页
制造商Weitron Technology
官网地址http://weitron.com.tw/
标准
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S8550D-G概述

Transistor

S8550D-G规格参数

参数名称属性值
最高工作温度150 °C
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
是否Rohs认证Yes
Is SamacsysN
Objectid105512763
包装说明,
Reach Compliance CodeUnknown
ECCN代码EAR99
最小直流电流增益 (hFE)160
元件数量1
极性/信道类型PNP
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)150 MHz
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置SINGLE

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S8550
PNP General Purpose Transistors
* "G" Lead(Pb)-Free
TO-92
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Device Dissipation T
A
=25 C
Junction Temperature
Storage, Temperature
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
Tj
Tstg
Value
-25
-40
-5.0
-500
0.625
150
-55 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
C
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC= -0.1 mAdc, IB=0)
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= -100 µAdc, IE=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= -100 µAdc, IC=0)
Collector Cutoff Current (VCE= -20 Vdc, I B=0)
Collector Cutoff Current (VCB= -40 Vdc, IE=0)
Emitter Cutoff Current (VEB= -3.0Vdc, I C=0)
Symbol
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICE0
ICBO
IEBO
Min
-25
-40
-5.0
-
-
-
Max
-
-
-
-0.2
-0.1
-0.1
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
uAdc
uAdc
uAdc
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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