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1N914B

产品描述0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB,共3页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

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1N914B概述

0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N914B规格参数

参数名称属性值
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
外壳连接ISOLATED
元件数量1
最大输出电流0.075 A
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压100 V
二极管元件材料SILICON
最大正向电压 (VF)0.62 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-GALF-W2
认证状态Not Qualified
最大非重复峰值正向电流2 A
相数1
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
Objectid1440515877
Reach Compliance CodeNot Compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
YTEOL0
是否Rohs认证No

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