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RD38F2040W0YBQ0

产品描述Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,
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文件大小685KB,共54页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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RD38F2040W0YBQ0概述

Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,

RD38F2040W0YBQ0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
包装说明FBGA, BGA88,8X12,32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B88
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+PSRAM
端子数量88
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA88,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00011 A
最大压摆率0.035 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术HYBRID
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

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Numonyx™ Wireless Flash Memory
(W18 SCSP)
128-Mbit W18 Family with Synchronous PSRAM
Datasheet
Product Features
Device Architecture
— Flash Die Density: 32, 64 or 128-Mbit
— PSRAM Die Density: 16 or 32-Mbit
— x16 Non-Mux or ADMux I/O Interface Option
— Bottom or Top Flash Parameter
Configuration
Device Voltage
— Core: V
CC
= 1.8 V
— I/O: V
CCQ
= 1.8 V
Device Packaging
— Ballout: QUAD+ (88 Balls)
— Area: 8x10 mm
— Height: 1.2 mm
PSRAM Performance
— 70 ns Initial Read Access;
20 ns Asynchronous Page-Mode Read
— Up to 66 MHz with 9 ns Clock-to-Data
Synchronous Burst-Mode Reads and Writes
— Configurable 4-, 8-, 16- and Continuous-
Word Burst-Length Reads and Writes
— Partial-Array Self and Temperature-
Compensated Refresh
— Programmable Output Impedance
Flash Performance
— 60 ns Initial Read Access;
20 ns Asynchronous Page-Mode Read
— Up to 66 MHz with 11 ns Clock-to-Data
Output Synchronous Burst-Mode Read
— Enhanced Factory Programming Modes:
3.1 µs/Word (Typ)
Flash Architecture
— Read-While-Write/Erase
— Asymmetrical blocking structure
— 4-KWord parameter blocks (Top or Bottom)
— 32-KWord main blocks
— 4-Mbit partition size
— 128-bit One-Time Programmable (OTP)
Protection Register
— Zero-latency block locking
— Absolute write protection with block lock
using F-VPP and F-WP#
Flash Software
— Numonyx™ FDI, Numonyx™ PSM, and
Numonyx™ VFM
— Common Flash Interface
— Basic and Extended Flash Command Set
Quality and Reliability
— Extended Temperature –25 °C to +85 °C
— Minimum 100K Flash Block Erase cycles
— 90 nm ETOX ™ IX Flash Technology
— 130 nm ETOX™ VIII Flash Technology
Order Number: 311760-10
November 2007

RD38F2040W0YBQ0相似产品对比

RD38F2040W0YBQ0 PF38F2040W0YTQ0
描述 Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88, Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology
包装说明 FBGA, BGA88,8X12,32 FBGA, BGA88,8X12,32
Reach Compliance Code unknown compliant
最长访问时间 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B88 R-PBGA-B88
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
混合内存类型 FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM
端子数量 88 88
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA
封装等效代码 BGA88,8X12,32 BGA88,8X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.00011 A 0.00011 A
最大压摆率 0.035 mA 0.035 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 HYBRID HYBRID
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM

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