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MT8HTF3264HG-53EXX: 产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小979KB，共35页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT8HTF3264HG-53EXX概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, SODIMM-200

	MT8HTF3264HG-53EXX	MT8HTF3264HG-40EXX
描述	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, SODIMM-200
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM,	DIMM,
针数	200	200
Reach Compliance Code	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	200	200
字数	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C
组织	32MX64	32MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	235	235
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30

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