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UT20N03G-TN3-T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小252KB,共6页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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UT20N03G-TN3-T概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252,

UT20N03G-TN3-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证Yes
Reach Compliance CodeCompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
YTEOL5.4
Objectid1322318870
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
雪崩能效等级(Eas)15 mJ
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
最大漏源导通电阻0.031 Ω
元件数量1
端子数量2
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)20 A
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
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