RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | DISK BUTTON, O-PRDB-F4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.03 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.03 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | O-PRDB-F4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W |
最小功率增益 (Gp) | 25 dB |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | RADIAL |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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