Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
| 长度 | 30.99 mm |
| 座面最大高度 | 5.715 mm |
| 宽度 | 15.24 mm |
| 功能数量 | 1 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子数量 | 24 |
| 封装代码 | DIP |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子位置 | DUAL |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| Objectid | 1900532496 |
| 包装说明 | 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
| Reach Compliance Code | Unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| YTEOL | 0 |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 2KX8 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
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