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DLN10C

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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DLN10C概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

DLN10C规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.98 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

DLN10C相似产品对比

DLN10C DLN10 DLN10E
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 0.9 A, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 SANYO - SANYO
包装说明 O-XALF-W2 - O-XALF-W2
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.98 V - 1.3 V
JESD-30 代码 O-XALF-W2 - O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流 25 A - 25 A
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最大输出电流 1 A - 0.9 A
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V - 400 V
最大反向恢复时间 0.035 µs - 0.05 µs
表面贴装 NO - NO
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL
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