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MSM8512SI-55

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDIP32
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文件大小685KB,共9页
制造商APTA Group Inc
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MSM8512SI-55概述

Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDIP32

MSM8512SI-55规格参数

参数名称属性值
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
端子数量32
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
是否Rohs认证No
Is SamacsysN
YTEOL0
Objectid1154969191
包装说明DIP, DIP32,.6
Reach Compliance CodeUnknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间55 ns
内存密度4194304 bit
内存宽度8
组织512KX8
标称供电电压 (Vsup)5 V
最大待机电流0.06 A
I/O 类型COMMON
内存集成电路类型STANDARD SRAM
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
输出特性3-STATE
并行/串行PARALLEL
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.18 mA
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
认证状态Not Qualified
JESD-30 代码R-XDIP-T32
JESD-609代码e0
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