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MSM8512JLMB-25

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CQCC32
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文件大小685KB,共9页
制造商APTA Group Inc
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MSM8512JLMB-25概述

Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CQCC32

MSM8512JLMB-25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证No
包装说明QCCJ, LDCC32,.45X.7
Reach Compliance CodeUnknown
ECCN代码3A001.A.2.C
Is SamacsysN
YTEOL0
Objectid1154969175
最长访问时间25 ns
内存密度4194304 bit
内存宽度8
组织512KX8
标称供电电压 (Vsup)5 V
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
并行/串行PARALLEL
最大待机电流0.0004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.18 mA
技术CMOS
I/O 类型COMMON
内存集成电路类型STANDARD SRAM
字数524288 words
输出特性3-STATE
温度等级MILITARY
JESD-30 代码R-XQCC-J32
JESD-609代码e0
认证状态Not Qualified
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
端子数量32
封装等效代码LDCC32,.45X.7
封装形状RECTANGULAR
表面贴装YES
端子形式J BEND
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCJ
封装形式CHIP CARRIER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最低工作温度-55 °C
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最高工作温度125 °C
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