Dual-Port SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | PLASTIC, LCC-68 |
针数 | 68 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 20 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 24.2316 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 68 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.0005 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.29 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 24.2316 mm |
Base Number Matches | 1 |
CY7C007A-20JI | CY7C007A-20AI | CY7C017A-20JI | |
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描述 | Dual-Port SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | Dual-Port SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80 | Dual-Port SRAM, 32KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | LCC | QFP | LCC |
包装说明 | PLASTIC, LCC-68 | PLASTIC, TQFP-80 | PLASTIC, LCC-68 |
针数 | 68 | 80 | 68 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 20 ns | 20 ns | 20 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | S-PQFP-G80 | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 24.2316 mm | 14 mm | 24.2316 mm |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 294912 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 9 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 68 | 80 | 68 |
字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX9 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | LQFP | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ | QFP80,.64SQ | LDCC68,1.0SQ |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER | FLATPACK, LOW PROFILE | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm | 1.6 mm | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.0005 A | 0.0005 A | 0.0005 A |
最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.29 mA | 0.29 mA | 0.29 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | GULL WING | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 0.65 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
宽度 | 24.2316 mm | 14 mm | 24.2316 mm |
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