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Datasheet> 器件分类 > 逻辑> 逻辑> 5962R8853401FA
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5962R8853401FA

产品描述IC ACT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16, CERAMIC, DFP-16, FF/Latch
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小168KB，共8页
制造商National Semiconductor（TI ）
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

5962R8853401FA概述

IC ACT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16, CERAMIC, DFP-16, FF/Latch

5962R8853401FA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DFP, FL16,.3
Reach Compliance Codeunknown
系列ACT
JESD-30 代码R-GDFP-F16
JESD-609代码e0
长度9.6645 mm
负载电容（CL）50 pF
逻辑集成电路类型J-KBAR FLIP-FLOP
最大I（ol）0.024 A
位数2
功能数量2
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出极性COMPLEMENTARY
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DFP
封装等效代码FL16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup14 ns
传播延迟（tpd）14 ns
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度2.032 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量100k Rad(Si) V
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度6.604 mm
最小 fmax85 MHz
Base Number Matches1

5962R8853401FA相似产品对比

5962R8853401FA 5962R88534012A 5962R8853401EA 54ACT109MDS
描述 IC ACT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16, CERAMIC, DFP-16, FF/Latch IC ACT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20, FF/Latch IC ACT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16, FF/Latch IC ACT SERIES, DUAL POSITIVE EDGE TRIGGERED J-KBAR FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, UUC, DIE, FF/Latch
包装说明 DFP, FL16,.3 QCCN, LCC20,.35SQ DIP, DIP16,.3 DIE,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
系列 ACT ACT ACT ACT
JESD-30 代码 R-GDFP-F16 S-CQCC-N20 R-GDIP-T16 X-XUUC-N
逻辑集成电路类型 J-KBAR FLIP-FLOP J-KBAR FLIP-FLOP J-KBAR FLIP-FLOP J-KBAR FLIP-FLOP
位数 2 2 2 2
功能数量 2 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
输出极性 COMPLEMENTARY COMPLEMENTARY COMPLEMENTARY COMPLEMENTARY
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED UNSPECIFIED
封装代码 DFP QCCN DIP DIE
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR UNSPECIFIED
封装形式 FLATPACK CHIP CARRIER IN-LINE UNCASED CHIP
传播延迟（tpd） 14 ns 14 ns 14 ns 14 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子位置 DUAL QUAD DUAL UPPER
触发器类型 POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE
最小 fmax 85 MHz 85 MHz 85 MHz 85 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
长度 9.6645 mm 8.89 mm 19.43 mm -
负载电容（CL） 50 pF 50 pF 50 pF -
最大I（ol） 0.024 A 0.024 A 0.024 A -
端子数量 16 20 16 -
封装等效代码 FL16,.3 LCC20,.35SQ DIP16,.3 -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V 5 V 5 V -
Prop。Delay @ Nom-Sup 14 ns 14 ns 14 ns -
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883 -
座面最大高度 2.032 mm 1.905 mm 5.08 mm -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V -
宽度 6.604 mm 8.89 mm 7.62 mm -

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