operational amplifiers - Op amps 1A, 2.5V Op amp
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 25 weeks 5 days |
Is Samacsys | N |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00002 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00001 µA |
最小共模抑制比 | 70 dB |
标称共模抑制比 | 66 dB |
频率补偿 | YES (AVCL>=2) |
最大输入失调电压 | 950 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.9 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | YES |
微功率 | YES |
负供电电压上限 | -6 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -2.5 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TAPE AND REEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | +-2.5/+-5/10 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最小摆率 | 0.003 V/us |
标称压摆率 | 0.005 V/us |
最大压摆率 | 0.0016 mA |
供电电压上限 | 6 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 8 kHz |
最小电压增益 | 200000 |
宽度 | 3.9 mm |
Base Number Matches | 1 |
MAX406ACSA+T | MAX406AESA+ | RM3W3P-00-TD | ||
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描述 | operational amplifiers - Op amps 1A, 2.5V Op amp | operational amplifiers - Op amps 1A, 2.5V Op amp | 3W3P D-SUB CONNECTOR WITH RF INENTS | |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - | |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | |
零件包装代码 | SOIC | SOIC | - | |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 | - | |
针数 | 8 | 8 | - | |
Reach Compliance Code | compliant | compli | - | |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | |
Factory Lead Time | 25 weeks 5 days | 6 weeks | - | |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | - | |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | - | |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00002 µA | 0.00005 µA | - | |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00001 µA | 0.00001 µA | - | |
最小共模抑制比 | 70 dB | 70 dB | - | |
标称共模抑制比 | 66 dB | 66 dB | - | |
频率补偿 | YES (AVCL>=2) | YES (AVCL>=2) | - | |
最大输入失调电压 | 950 µV | 1100 µV | - | |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | - | |
JESD-609代码 | e3 | e3 | - | |
长度 | 4.9 mm | 4.9 mm | - | |
低-偏置 | YES | YES | - | |
低-失调 | YES | NO | - | |
微功率 | YES | YES | - | |
负供电电压上限 | -6 V | -6 V | - | |
标称负供电电压 (Vsup) | -2.5 V | -2.5 V | - | |
功能数量 | 1 | 1 | - | |
端子数量 | 8 | 8 | - | |
最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | - | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | |
封装代码 | SOP | SOP | - | |
封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 | - | |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | - | |
电源 | +-2.5/+-5/10 V | +-2.5/+-5/10 V | - | |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | |
座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm | - | |
最小摆率 | 0.003 V/us | 0.003 V/us | - | |
标称压摆率 | 0.005 V/us | 5000 V/us | - | |
最大压摆率 | 0.0016 mA | 0.002 mA | - | |
供电电压上限 | 6 V | 6 V | - | |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | - | |
表面贴装 | YES | YES | - | |
技术 | CMOS | CMOS | - | |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | - | |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - | |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - | |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - | |
端子位置 | DUAL | DUAL | - | |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | - | |
标称均一增益带宽 | 8 kHz | 40 kHz | - | |
最小电压增益 | 200000 | 200000 | - | |
宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm | - | |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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