HGT1S12N60C3S9A概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

HGT1S12N60C3S9A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Harris
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	24 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE
最大降落时间（tf）	275 ns
门极发射器阈值电压最大值	6 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	104 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	400 ns
标称断开时间 (toff)	270 ns
标称接通时间 (ton)	14 ns
VCEsat-Max	2 V
Base Number Matches	1

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HGT1S12N60C3S9A相似产品对比

	HGT1S12N60C3S9A
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
厂商名称	Harris
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	24 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE
最大降落时间（tf）	275 ns
门极发射器阈值电压最大值	6 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	104 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	400 ns
标称断开时间 (toff)	270 ns
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