tvs diode arrays diode array esd 1L extrem low
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | NXP Semiconductor |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | SOT663 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大击穿电压 | 9.5 V |
最小击穿电压 | 5.8 V |
击穿电压标称值 | 9.5 V |
配置 | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | BIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
PESD5V0X1BQ,115 | PESD5V0X1BT,215 | |
---|---|---|
描述 | tvs diode arrays diode array esd 1L extrem low | tvs diode arrays diode array esd 2L extrem low |
Brand Name | NXP Semiconductor | NXP Semiconduc |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | SOT | TO-236 |
包装说明 | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 | PLASTIC PACKAGE-3 |
针数 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | SOT663 | SOT23 |
Reach Compliance Code | compliant | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大击穿电压 | 9.5 V | 9.5 V |
最小击穿电压 | 5.8 V | 5.8 V |
击穿电压标称值 | 9.5 V | 9.5 V |
配置 | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F3 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 260 |
极性 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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