V59C1512804QBF25AI,V59C1512804QBF25AI pdf中文资料,V59C1512804QBF25AI引脚图,V59C1512804QBF25AI电路-Datasheet-电子工程世界

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V59C1512804QBF25AI: 产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共76页; 制造商ProMOS Technologies Inc

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V59C1512804QBF25AI概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-60

V59C1512804QBF25AI规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ProMOS Technologies Inc
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA,
针数	60
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	10.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

V59C1512804QBF25AI相似产品对比

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描述	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-84	DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-60	DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, MO-207, FBGA-84
零件包装代码	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
针数	60	84	60	60	60	84
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns	0.6 ns	0.4 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84
长度	10.5 mm	13 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	13 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	16	4	8	4	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	84	60	60	60	84
字数	67108864 words	33554432 words	134217728 words	67108864 words	134217728 words	33554432 words
字数代码	64000000	32000000	128000000	64000000	128000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64MX8	32MX16	128MX4	64MX8	128MX4	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	10 mm	10.5 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10.5 mm
厂商名称	ProMOS Technologies Inc	-	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc	ProMOS Technologies Inc

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