Static Column DRAM, 1MX1, 85ns, CMOS, PDSO20
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SK Hynix(海力士) |
包装说明 | SOJ, SOJ20/26,.34 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 85 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J20 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | STATIC COLUMN DRAM |
内存宽度 | 1 |
端子数量 | 20 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装等效代码 | SOJ20/26,.34 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 512 |
最大待机电流 | 0.0015 A |
最大压摆率 | 0.095 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved