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K4B2G0846B-HCF80: 产品描述DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共62页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4B2G0846B-HCF80概述

DDR DRAM, 256MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA78,9X13,32
针数	78
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.3 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	533 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	8
JESD-30 代码	R-PBGA-B78
JESD-609代码	e1
长度	11.5 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	78
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	256MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	8
最大待机电流	0.012 A
最大压摆率	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9 mm
Base Number Matches	1

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