IDT7130SA25JG,IDT7130SA25JG pdf中文资料,IDT7130SA25JG引脚图,IDT7130SA25JG电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7130SA25JG: 产品描述Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小150KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT7130SA25JG概述

Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数	52
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e3
长度	19.1262 mm
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	52
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	19.1262 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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