Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS8ERLC128K32SQB-250/SPACE

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AS8ERLC128K32SQB-250/SPACE: 产品描述EEPROM, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68; 产品类别存储存储; 文件大小337KB，共18页; 制造商Micross; 官网地址https://www.micross.com

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AS8ERLC128K32SQB-250/SPACE概述

EEPROM, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

AS8ERLC128K32SQB-250/SPACE规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micross
零件包装代码	QFP
包装说明	GQFF,
针数	68
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	250 ns
JESD-30 代码	S-CQFP-F68
JESD-609代码	e4
长度	22.352 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	68
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	GQFF
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, GUARD RING
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38534 Class H
座面最大高度	5.969 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	PALLADIUM GOLD
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	22.352 mm
Base Number Matches	1

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PRELIMINARY

SPECIFICATION

EEPROM

AS8ERLC128K32

PIN ASSIGNMENT

(Top View)

68 Lead CQFP

RES\

CS3\

GND

CS4\

WE1\

A10

Vcc

128K x 32 Radiation Tolerant EEPROM

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

•

MIL-PRF-38534 compliant

FEATURES

•

Access time of 250ns , 300ns

• Operation with single

3.3V (+ .3V)

supply

• LOW Power Dissipation:

Active(Worst case):

300mW

(MAX), Max Speed Operation

Standby(Worst case):

7.2mW(MAX),

Battery Back-up Mode

• Automatic Byte Write: 15 ms (MAX)

• Automatic Page Write (128 bytes): 15 ms (MAX)

• Data protection circuit on power -on/off

• Low power CMOS MNOS cell Technology

• 10

Erase/Write cycles (in Page Mode)

• Software data protection

• TTL Compatible Inputs and Outputs

• Data Retention: 10 years

• Ready/Busy\ and Data Polling Signals

• Write protection by RES\ pin

• Radiation Tolerant: Proven total dose 40K to 100K RADS*

• Shielded Package for Best Radiation Immunity

• Operating Temperature Ranges:

Military: -55

C to +125

Industrial: -40

C to +85

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

GND

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64

27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43

Vcc

A11

A12

A13

*A15

*A14

A16

CS1\

OE\

CS2\

WE2\

WE3\

WE4\

RDY

I/O16

I/O17

I/O18

I/O19

I/O20

I/O21

I/O22

I/O23

GND

I/O24

I/O25

I/O26

I/O27

I/O28

I/O29

I/O30

I/O31

*Pin #'s 31 and 32, A15 and A14 respectively, are reversed from the AS8E128K32. Correct use

of these address lines is required for operation of the SDP mode to work properly.

PIN NAME

A0 to A16

I/O0 to I/O31

OE\

CE\

WE\

FUNCTION

Address Input

Data Input/Output

Output Enable

Chip Enable

Write Enable

Power Supply

OPTIONS

• Timing

250 ns

300 ns

• Package

Ceramic Quad Flat pack w/ formed leads

Ceramic Quad Flat pack w/ tie bar

Shielded Ceramic Quad Flat pack

MARKINGS

-250

-300

SQB

No. 703Q

No. 703QB

No. 703SF

No. 703SQB

Ground

RDY/BUSY\ Ready Busy

RES\

Reset

GENERAL DESCRIPTION

The AS8ERLC128K32 is a 4 Megabit Radiation Tolerant

EEPROM Module organized as 128K x 32 bit. User conﬁgurable

to 256K x16 or 512Kx 8. The module achieves high speed access,

low power consumption and high reliability by employing advanced

CMOS memory technology.

The military grade product is manufactured in compliance to MIL-

STD 883, making the AS8ERLC128K32 ideally suited for military or

space applications.

The module is offered as a 68 lead 0.880 inch square ceramic

quad

ﬂ

at pack. It has a max. height of 0.200 inch (non-shielded).

This package design is targeted for those applications which require

low proﬁle SMT Packaging.

* contact factory for test reports. Micross does not guarantee or warrant these

performance levels, but references these third party reports.

AS8ERLC128K32

Rev. 2.0 01/10

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

For more products and information

please visit our web site at

www.micross.com

Micross Components reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

AS8ERLC128K32SQB-250/SPACE相似产品对比

	AS8ERLC128K32SQB-250/SPACE	AS8ERLC128K32QB-250/SPACE	AS8ERLC128K32SQB-300/SPACE	AS8ERLC128K32Q-300/SPACE	AS8ERLC128K32SQ-300/SPACE	AS8ERLC128K32Q-250/SPACE	AS8ERLC128K32SQ-250/SPACE	AS8ERLC128K32QB-300/SPACE
描述	EEPROM, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	EEPROM, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	EEPROM, 128KX32, 300ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	EEPROM, 128KX32, 300ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	EEPROM, 128KX32, 300ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	EEPROM, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	EEPROM, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	EEPROM, 128KX32, 300ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	GQFF,	GQFF,	GQFF,	QFP,	QFP,	QFP,	QFP,	GQFF,
针数	68	68	68	68	68	68	68	68
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	250 ns	250 ns	300 ns	300 ns	300 ns	250 ns	250 ns	300 ns
JESD-30 代码	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-G68	S-CQFP-G68	S-CQFP-G68	S-CQFP-G68	S-CQFP-F68
JESD-609代码	e4	e0	e4	e0	e4	e0	e4	e0
长度	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	68	68	68	68	68	68	68	68
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	GQFF	GQFF	GQFF	QFP	QFP	QFP	QFP	GQFF
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, GUARD RING	FLATPACK, GUARD RING	FLATPACK, GUARD RING	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK, GUARD RING
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38534 Class H	MIL-PRF-38534 Class H	MIL-PRF-38534 Class H	MIL-PRF-38534 Class H	MIL-PRF-38534 Class H	MIL-PRF-38534 Class H	MIL-PRF-38534 Class H	MIL-PRF-38534 Class H
座面最大高度	5.969 mm	4.826 mm	5.969 mm	5.08 mm	5.969 mm	5.08 mm	5.969 mm	4.826 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	PALLADIUM GOLD	TIN LEAD	PALLADIUM GOLD	TIN LEAD	PALLADIUM GOLD	TIN LEAD	PALLADIUM GOLD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm	22.352 mm
厂商名称	Micross	Micross	Micross	-	-	-	Micross	Micross
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-

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