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5962-9317705VZX

产品描述FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, 0.400 INCH, FP-28
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文件大小393KB,共22页
制造商Atmel (Microchip)
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5962-9317705VZX概述

FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, 0.400 INCH, FP-28

5962-9317705VZX规格参数

参数名称属性值
内存集成电路类型OTHER FIFO
工作模式ASYNCHRONOUS
可输出NO
温度等级MILITARY
功能数量1
字数16384 words
字数代码16000
并行/串行PARALLEL
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
技术CMOS
端子数量28
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
端子节距1.27 mm
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
YTEOL0
Objectid2081044933
包装说明0.400 INCH, FP-28
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
内存宽度9
组织16KX9
标称供电电压 (Vsup)5 V
最长访问时间30 ns
周期时间40 ns
内存密度147456 bit
JESD-30 代码R-CDFP-F28
认证状态Not Qualified
长度18.288 mm
座面最大高度3.3 mm
宽度10.16 mm

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Features
First-in first-out dual port memory
16384 x 9 organisation
Fast Flag and access times: 15, 30 ns
Wide temperature range: - 55
°C
to + 125
°C
Programmable Half Full Flag
Fully expandable by word width or depth
Asynchronous read/write operations
Empty, full and half flags in single device mode
Retransmit capability
Bi-directional applications
Battery back-up operation: 2V data retention
TTL compatible
Single 5V + 10% power supply
QML Q and V with SMD 5962-93177
Description
The M672061F implements a first-in first-out algorithm, featuring asynchronous
read/write operations. The FULL and EMPTY flags prevent data overflow and under-
flow. The Expansion logic allows unlimited expansion in word size and depth with no
timing penalties. Twin address pointers automatically generate internal read and write
addresses, and no external address information are required for the Atmel FIFOs.
Address pointers are automatically incremented with the write pin and read pin. The 9
bits wide data are used in data communications applications where a parity bit for
error checking is necessary. The Retransmit pin resets the Read pointer to zero with-
out affecting the write pointer. This is very useful for retransmitting data when an error
is detected in the system.
Using an array of eight transistors (8 T) memory cell, the M672061F combines an
extremely low standby supply current (typ = 0.1
µA)
with a fast access time at 15 ns
over the full temperature range. All versions offer battery backup data retention capa-
bility with a typical power consumption at less than 2
µW.
For military/space applications that demand superior levels of performance and reli-
ability the M672061F is processed according to the methods of the latest revision of
the MIL PRF 38535 (Q and V) or ESA SCC 9000.
Rad Tolerant
High Speed
16 x 9
Parallel FIFO +
Programmable
Flag
M672061F
Rev. E–20-Aug-01
1
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