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5962-9315604HYC

产品描述Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, BOTTOM BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小123KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5962-9315604HYC概述

Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP32, DUAL CAVITY, BOTTOM BRAZED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32

5962-9315604HYC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e4
长度40.6 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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