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IS61SF12836-12TQ

产品描述Standard SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PQFP100,
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文件大小185KB,共16页
制造商Integrated Circuit Solution Inc
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IS61SF12836-12TQ概述

Standard SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PQFP100,

IS61SF12836-12TQ规格参数

参数名称属性值
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
最长访问时间12 ns
最大时钟频率 (fCLK)66 MHz
内存密度4718592 bit
内存宽度36
组织128KX36
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.17 mA
内存集成电路类型STANDARD SRAM
工作模式SYNCHRONOUS
字数代码128000
输出特性3-STATE
并行/串行PARALLEL
最小待机电流3.14 V
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
I/O 类型COMMON
字数131072 words
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
认证状态Not Qualified
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码QFP100,.63X.87
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置QUAD
端子数量100
封装代码QFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
表面贴装YES
端子节距0.635 mm
最高工作温度70 °C
最低工作温度
是否Rohs认证No
Is SamacsysN
Objectid104488632
包装说明QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
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