Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.75 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 160 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 1020 ns |
| 最大开启时间（吨） | 70 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| KSD1616L | KSD1616AY | KSD1616AG | KSD1616AL | KSD1616G | KSD1616Y | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Fairchild | Fairchild | Fairchild | Fairchild | Fairchild | Fairchild |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A | 1 A | - | 1 A | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V | 60 V | 60 V | - | 50 V | 50 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 | 135 | 200 | - | 200 | 135 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 | - | TO-92 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | - | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | - | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | - | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | - | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | - | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.75 W | 0.75 W | 0.75 W | - | 0.75 W | 0.75 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | - | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 160 MHz | 160 MHz | 160 MHz | - | 160 MHz | 160 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 1020 ns | 1020 ns | 1020 ns | - | 1020 ns | 1020 ns |
| 最大开启时间（吨） | 70 ns | 70 ns | 70 ns | - | 70 ns | 70 ns |
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