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VIE150-12S

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 203A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小114KB,共1页
制造商IXYS
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VIE150-12S概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 203A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

VIE150-12S规格参数

参数名称属性值
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
外壳连接ISOLATED
端子数量10
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装NO
最大集电极电流 (IC)203 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
元件数量2
认证状态Not Qualified
JESD-30 代码R-PUFM-X10
最高工作温度150 °C
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
YTEOL0
Objectid1407963192
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X10
Reach Compliance Codeunknown
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max3.7 V
其他特性INPUT LOGIC,ISOLATION,DRIVE CIRCUITRY AND PROTECTION IN A MODULE
功耗环境最大值829 W
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