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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> GMM7658287CNTG-5
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GMM7658287CNTG-5

产品描述EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-144
产品类别存储    存储   
文件大小465KB，共29页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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GMM7658287CNTG-5概述

EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-144

GMM7658287CNTG-5规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM144,32
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.608 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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GMM7658287CNTG-5/6
8,388,608WORDS x 64 BIT
CMOS EDO DYNAMIC RAM MODULE
Description
The GMM7658287CNTG is an 8M x 64 bits
Dynamic RAM MODULE which is assembled 8
pieces of 4M x 16bit DRAMs in 50pin TSOP
package, one 2k EEPROM for SPD in 8-pin
TSSOP package mounted on a 144 pin printed
circuit board with decoupling capacitors.
The GMM7658287CNTG is optimized for
application to the systems which are required high
density and large capacity such as main memory of
the computers and an image memory systems, and
to the others which are requested compact size.
The GMM7658287CNTG provides common data
inputs and Extended Data Outputs.
Features
* 144 pins Dual In-Line Package
- GMM7658287CNTG : Gold plating
* Extended Data Out(EDO)Mode Capability
* Single Power Supply
* Fast Access Time & Cycle Time
(Unit: ns)
Speed
GMM7658287CNTG-5
GMM7658287CNTG-6
t
RAC
t
CAC
t
RC
50
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13
15
84
104
t
HPC
20
25
GMM7658287CNTG(Both
Side)
* Low Power
Active : 2,044/ 2,188 mW (MAX)
Standby : 8.64 mW (CMOS level : MAX)
* RAS Only Refresh, CAS before RAS Refresh,
Hidden Refresh Capability
* All inputs and outputs TTL Compatible
* 4096 Refresh Cycles/128ms
* Self Refresh Operation
* Battery Back-up Operation
Pin Configuration
(Top View)
144
Pin Symbol Pin Symbol Pin Symbol Pin Symbol Pin Symbol
Pin Symbol
2
* This Data Sheet is subject to change without notice.
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SDA
SCL
Vcc
Vcc
Note : Pins Marked
*
are not used in this module.
1

GMM7658287CNTG-5相似产品对比

GMM7658287CNTG-5 GMM7658287CNTG-6
描述 EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-144 EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32
针数 144 144
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 144 144
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,32 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.608 mA 0.568 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

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