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30DF6(Z): 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-27,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小56KB，共2页; 制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd; 标准

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30DF6(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-27,

30DF6(Z)规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
应用	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JEDEC-95代码	DO-27
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向电流	10 µA
最大反向恢复时间	0.4 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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FEATURES

Low cos t

GALAXY ELECTRICAL

30DF4(Z) ---30DF6(Z)

VOLT AGE RANGE: 400 --- 600 V

CURRENT : 3.0 A

FAST RECOVERY RECT IFIERS

DO - 27

D iffus ed junction

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Eas ily cleaned w ith Freon Alcohol,Is opropanol and

s im ilar s olvents

MECHANICAL DATA

Cas e:JEDEC DO--27,m olded plas tic

Term inals : Axial lead ,s olderable per

MIL- STD -202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.041ounces ,1.15 gram s

Mounting pos ition: Any

MAXIM UM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

R atings at 25

am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.

Single phas e,half wave,50Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20% .

30DF4

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average f orw ard rectif ied current

9.5mm lead length,

=75

30DF6

600

420

600

3.0

UNITS

RRM

R MS

F (AV)

400

280

400

Peak f orw ard surge current

10ms single half -sine-w ave

superimposed on rated load

=125

F SM

200.0

Maximum instantaneous f orw ard v oltage

@ 3.0A

Maximum reverse current

at rated DC bloc king voltage

=25

=100

STG

1.2

10.0

200.0

400

-55 ---- + 150

Maximum reverse recovery time (Note1)

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

N OTE:1. Measured with I

=0.5A, I

=1A, I

=0.25A.

2.Meas ured at 1.0MH

and applied rev erse v oltage of 4.0V D C .

3.Therm al resistance f rom junc tion to am bient.

www.galaxycn.com

Document Number 0261031

GALAXY ELECTRICAL

30DF6(Z)相似产品对比

	30DF6(Z)	30DF4(Z)
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-27,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-27,
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V
JEDEC-95代码	DO-27	DO-27
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	3 A	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	600 V	400 V
最大反向电流	10 µA	10 µA
最大反向恢复时间	0.4 µs	0.4 µs
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1

30DF6(Z)

30DF6(Z)概述

30DF6(Z)规格参数

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