Quad 8-Bit Multiplying CMOS D/A Converter with Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大模拟输出电压 | 10 V |
| 最小模拟输出电压 | -10 V |
| 转换器类型 | D/A CONVERTER |
| 输入位码 | BINARY |
| 输入格式 | PARALLEL, 8 BITS |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.1953% |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大稳定时间 | |
| 标称安定时间 (tstl) | 0.19 µs |
| 最大压摆率 | 1.5 mA |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| DAC8408BT | DAC8408FT | DAC8408 | DAC8408ET | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Quad 8-Bit Multiplying CMOS D/A Converter with Memory | Quad 8-Bit Multiplying CMOS D/A Converter with Memory | Quad 8-Bit Multiplying CMOS D/A Converter with Memory | Quad 8-Bit Multiplying CMOS D/A Converter with Memory |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | - | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | - | DIP |
| 包装说明 | DIP-28 | DIP-28 | - | DIP-28 |
| 针数 | 28 | 28 | - | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | - | unknown |
| 最大模拟输出电压 | 10 V | 10 V | - | 10 V |
| 最小模拟输出电压 | -10 V | -10 V | - | -10 V |
| 转换器类型 | D/A CONVERTER | D/A CONVERTER | - | D/A CONVERTER |
| 输入位码 | BINARY | BINARY | - | BINARY |
| 输入格式 | PARALLEL, 8 BITS | PARALLEL, 8 BITS | - | PARALLEL, 8 BITS |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | - | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.1953% | 0.1953% | - | 0.0977% |
| 位数 | 8 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 4 | 4 | - | 4 |
| 端子数量 | 28 | 28 | - | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | - | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | - | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | - | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | - | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 5.72 mm | - | 5.72 mm |
| 标称安定时间 (tstl) | 0.19 µs | 0.19 µs | - | 0.19 µs |
| 最大压摆率 | 1.5 mA | 1.5 mA | - | 1.5 mA |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | - | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 |
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