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BCR108S-E6433

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小110KB,共4页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BCR108S-E6433概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

BCR108S-E6433规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.364
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)170 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

BCR108S-E6433相似产品对比

BCR108S-E6433 BCR108S-E6327
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
厂商名称 SIEMENS SIEMENS
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.364 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21.364
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 70 70
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 170 MHz 170 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V
Base Number Matches 1 1

 
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