EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 90 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 3 ms |
| Base Number Matches | 1 |
| AT28HC256NF-90JI | AT28HC256NF-90TI | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 | EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, MO-183, TSOP1-28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | QFJ | TSOP1 |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
| 针数 | 32 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 90 ns | 90 ns |
| 命令用户界面 | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm | 11.8 mm |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 2 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | TSOP1 |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小 | 64 words | 64 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 240 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 0.55 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 切换位 | YES | YES |
| 宽度 | 11.43 mm | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 3 ms | 3 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
