Standard SRAM, 1KX4, 200ns, MOS, CDIP18,
| 参数名称 | 属性值 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| 内存密度 | 4096 bit |
| 内存宽度 | 4 |
| 组织 | 1KX4 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 字数 | 1024 words |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| I/O 类型 | COMMON |
| 字数代码 | 1000 |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 认证状态 | Not Qualified |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T18 |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 端子数量 | 18 |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 表面贴装 | NO |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 是否Rohs认证 | No |
| Is Samacsys | N |
| YTEOL | 0 |
| Objectid | 1156988236 |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
