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5082-0012

产品描述Pin Diode, 150V V(BR), Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB,共2页
制造商Broadcom(博通)
标准
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5082-0012概述

Pin Diode, 150V V(BR), Silicon, DIE-1

5082-0012规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明S-XUUC-N1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压150 V
配置SINGLE
最大二极管电容0.12 pF
标称二极管电容0.12 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型PIN DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
少数载流子标称寿命0.4 µs
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
反向测试电压50 V
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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5082-0012
PIN Diode Chip for Hybrid MIC Switches/Attenuators
Data Sheet
Description
This PIN diode chip is silicon dioxide or nitride passi-
vated. The 5082-0012 has a planar construction. The
fabrication processes are optimized for long term
reliability and tightly controlled for uniformity in
electrical performance.
Features
• Low Series Resistance: 1.0
Typical
Applications
This general purpose PIN diode is intended for low
power switching applications such as duplexers,
antenna switching matrices, digital phase shifters, time
multiplex filters, TR switches, pulse and amplitude
modulators, limiters, leveling circuits, and attenuators.
Outline
D
DIMENSIONS
D
±0.03 (1)
X
X
±0.05 (2)
Y
±0.03 (1)
X
Top Contact
Bottom Contact
Y
0.10
(4)
0.38
(15)
0.23
(9.0)
Au. Cathode
Au. Anode
Maximum Ratings
Junction Operating and Storage
Temperature Range ............................. -65°C to +150°C
Soldering Temperature .......... +425°C for 1 min. max.
Dimensions in millimeters
(1/1000 inch)
Electrical Specifications at T
A
= 25°C
Chip
Part
Number
5082-
0012
Nearest
Equivalent
Packaged
Part No.
5082-
3001
Minimum
Breakdown
Voltage
V
BR
(V)
150
V
R
= V
BR
Measure
I
R
10 mA
Maximum
Junction
Capacitance
C
j
(pF)
0.12
V
R
= 50 V
f = 1 MHz
Typical Parameters
Typical
Series
Resistance
R
S
(Ω)
1.0
I
F
= 100 mA
f = 100 MHz
Typical
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
100
I
F
= 20 mA
V
R
= 10 V
90% Recovery
Typical
Lifetime
τ
(ns)
400
I
F
= 50 mA
I
R
= 250 mA
Test
Conditions
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