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IRF5M4905SCVAPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小350KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRF5M4905SCVAPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

IRF5M4905SCVAPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)490 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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