电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

CY7C109-25ZI

产品描述128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32
产品类别存储   
文件大小221KB,共12页
制造商Cypress(赛普拉斯)
下载文档 详细参数 全文预览

CY7C109-25ZI概述

128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32

128K × 8 标准存储器, 15 ns, PDSO32

CY7C109-25ZI规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量32
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间15 ns
加工封装描述0.400 INCH, SOJ-32
状态DISCONTINUED
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式J BEND
端子间距1.27 mm
端子涂层TIN LEAD
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级COMMERCIAL
内存宽度8
组织128K X 8
存储密度1.05E6 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数131072 words
位数128K
内存IC类型STANDARD SRAM
串行并行PARALLEL

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 12  482  1471  1618  1643 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved