BZW04-110BB0,BZW04-110BB0 pdf中文资料,BZW04-110BB0引脚图,BZW04-110BB0电路-Datasheet-电子工程世界

BZW04-110BB0: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小204KB，共6页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/; 标准

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BZW04-110BB0概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 111V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Taiwan Semiconductor
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW IMPEDANCE
最大击穿电压	137 V
最小击穿电压	124 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-204AL
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1 W
最大重复峰值反向电压	111 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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