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VI40120C-E3/4W

产品描述diode schottky 120v 20a to262aa
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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VI40120C-E3/4W概述

diode schottky 120v 20a to262aa

VI40120C-E3/4W规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-262AA
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.84 V
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压120 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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V10D100C-M3, V10D100CHM3
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Ultra Low V
F
= 0.48 V at I
F
= 2.5 A
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
TMBS
®
eSMP
®
Series
TO-263AC (SMPD)
K
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology generation 2
• Very low profile - typical height of 1.7 mm
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
1
2
Top View
Bottom View
• AEC-Q101 qualified available:
- Automotive ordering code: base P/NHM3
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
V10D100C
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency DC/DC converters, switching
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and
reverse battery protection in commercial, inductrial, and
automotive application.
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
at I
F
= 5.0 A (T
A
= 125 °C)
T
J
max.
Package
Diode variations
2 x 5.0 A
100 V
100 A
0.60 V
150 °C
TO-263AC (SMPD)
Dual common cathode
MECHANICAL DATA
Case:
TO-263AC (SMPD)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant
Base P/NHM3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
(fig. 1)
Maximum DC reverse voltage
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Voltage rate of change (rated V
R
)
Operating junction and storage temperature range
per device
per diode
I
F(AV)
V
DC
I
FSM
dV/dt
T
J
, T
STG
SYMBOL
V
RRM
V10D100C
100
10
A
5
160
100
10 000
-40 to +150
V
A
V/μs
°C
UNIT
V
Revision: 06-Feb-15
Document Number: 89998
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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