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3838C1R2BAW362XC

产品描述Ceramic Capacitor, Ceramic, 3600V, 8.33% +Tol, 8.33% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000012uF, Through Hole Mount, AXIAL LEADED
产品类别无源元件    电容器   
文件大小754KB,共6页
制造商Passive Plus Inc
标准
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3838C1R2BAW362XC概述

Ceramic Capacitor, Ceramic, 3600V, 8.33% +Tol, 8.33% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000012uF, Through Hole Mount, AXIAL LEADED

3838C1R2BAW362XC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid7050372161
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性STANDARD: MIL-PRF-55681; MIL-PRF-123
电容0.0000012 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
JESD-609代码e4
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
多层No
负容差8.33%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
包装方法WAFFLE PACK
正容差8.33%
额定(直流)电压(URdc)3600 V
表面贴装NO
温度特性代码C0G
温度系数30ppm/Cel ppm/°C
端子面层Silver (Ag)
端子形状WIRE

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Traditional High Q (>10,000) Low ESR Capacitors
3838C/P (.380” x .380”)
3838C/P (.380” x .380”)
Product
Features
High Q, High RF Current/Voltage, High RF Power, Low ESR/ESL, Low Noise,
Ultra-Stable Performance.
Product Application
Typical Functional Applications: Bypass, Coupling, Tuning, Impedance Matching and D.C. Blocking.
Typical Circuit Applications: HF/RF Power Amplifiers, Transmitters, Antenna Tuning,
Plasma Chambers, and Medical.
3838C/P Capacitance Table
Cap.
Code
pF
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
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2.4
2.7
3.0
0R5
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2R2
1R9
2R0
2R1
2R2
2R4
2R7
3R0
B,
C,D
3600V
Code
362
or
7200V
Code
722
Tol.
Rated Cap.
Code
WVDC pF
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
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4R7
5R1
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6R2
6R8
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9R1
100
110
120
130
150
160
180
200
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270
300
330
NP0= C; P90=P
Tol.
Rated Cap.
Code
WVDC pF
36
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43
47
B,
C,D
51
56
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3600V
Code
362
or
7200V
Code
722
82
91
100
110
120
130
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160
F,G,
J,K
180
200
220
240
270
300
330
360
360
390
430
470
510
560
620
680
750
820
910
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361
F,G,
J,K
3600V
Code
362
or
5000V
Code
502
3600V
Code
362
or
7200V
Code
722
Tol.
Rated Cap.
Code
WVDC pF
390
430
470
510
560
620
680
750
820
910
1000
1100
1200
1500
1800
2200
2400
2700
3000
3300
3600V 3600
Code 3900
362 4300
4700
5100
391
431
471
511
561
621
681
751
821
911
102
112
122
152
182
222
242
272
302
332
362
392
432
472
512
500V
Code
501
F,G,
J,K
1000V
Code
102
2500V
Code
252
Tol.
Rated
WVDC
Remark: special capacitance, tolerance and WVDC are available, consult with PASSIVE PLUS.
www.passiveplus.com
(631) 425-0938
sales@passsiveplus.com
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